GaN-on-Si for power devices - 功率器件用 Si 衬底外延片 - GaN 基电子材料 - 产品中心 - LOL外围下注-英雄联盟外围下注

英雄联盟外围下注

产品和服务中心

GaN-on-Si for power devices 规格书下载

高耐压HEMT外延片，适用于快充等应用领域的功率器件制备

尺寸 4、6、8英寸

耐压 650V

方阻 350 ohm/sq

Details of GaN-on-Si for power devices

英雄联盟外围下注: LOL外围下注; 联系我们; 英雄联盟外围下注

产品中心: GaN 基电子材料; 外延生长和器件微加工代工服务

新闻中心: LOL外围下注; 媒体报道; 公告栏; 行业资讯

010-80490330

E-mail：sales@nflsjp.com

地址：北京市顺义区文良街15号院1号楼3层A1区（顺创）

微信公众号

Copyright © LOL外围下注备案号：京ICP备2021006150号-1